A
قبول کنندہ - ایک سیمی کنڈکٹر میں ایک نجاست جو ویلنس بینڈ سے پرجوش الیکٹرانوں کو قبول کرتی ہے، جس سے سوراخ کی ترسیل ہوتی ہے۔
ایکٹو سی پرت - SOI سبسٹریٹس میں دفن شدہ آکسائڈ (BOX) کے اوپر سلکان کی تہہ۔
آسنجن - مواد کی ایک دوسرے سے چپکنے کی صلاحیت۔
آسنجن پرت - مواد کی آسنجن کو بہتر بنانے کے لئے استعمال کیا جاتا ہے، عام طور پر فوٹو لیتھوگرافک عمل میں سبسٹریٹ کے خلاف فوٹو مزاحمت کرتا ہے۔ کچھ دھاتیں بھی بعد کی تہوں کے چپکنے کو فروغ دینے کے لیے استعمال ہوتی ہیں۔
بے ساختہ سی، اے-سی - غیر کرسٹل لائن پتلی فلم سیلیکون جس میں کوئی لمبی رینج کرسٹالگرافی آرڈر نہیں ہے؛ سنگل کرسٹل اور پولی سی کے مقابلے میں کمتر برقی خصوصیات لیکن سستی اور تیاری میں آسان؛ بنیادی طور پر شمسی خلیوں کو بنانے کے لیے استعمال کیا جاتا ہے۔
Angstrom, Å - لمبائی کی اکائی جو عام طور پر سیمی کنڈکٹر انڈسٹری میں استعمال ہوتی ہے، حالانکہ اسے معیاری بین الاقوامی اکائی کے طور پر تسلیم نہیں کیا جاتا ہے۔ 1 Å=10-8cm=10-4 مائکرو میٹر=0.1 nm; ایک عام ایٹم کے طول و عرض۔
انیسوٹروپک - مختلف کرسٹالوگرافی سمتوں میں جسمانی خصوصیات کی نمائش۔
Anisotropic Etch - ایک منتخب اینچ جو مخصوص کرسٹالوگرافی سمتوں کے ساتھ تیز رفتار ایچ کی شرح کو ظاہر کرتا ہے۔
B
بیچ کا عمل - وہ عمل جس میں ایک ہی ویفر کے عمل کے برخلاف ایک ساتھ کئی ویفرز پر کارروائی کی جاتی ہے۔
بائپولر - سیمی کنڈکٹر ڈیوائس فیبریکیشن ٹیکنالوجی جو ٹرانزسٹر تیار کرتی ہے جو ہولز اور الیکٹران دونوں کو چارج کیریئر کے طور پر استعمال کرتی ہے۔
بوٹ - 1. اعلی طہارت درجہ حرارت کے خلاف مزاحم مواد سے بنا ایک آلہ جیسے فیوزڈ سلکا، کوارٹز، پولی سی، یا SiC جو تھرمل یا دیگر عمل کے دوران بہت سے سیمی کنڈکٹر ویفرز کو رکھنے کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے۔ 2. ایک ہی وقت میں ماخذ کو اس کے پگھلنے کے مقام تک گرم کرنے کے ساتھ ساتھ بخارات کے دوران ماخذ کا مواد رکھنے کے لیے ڈیزائن کیا گیا آلہ؛ انتہائی conductive، درجہ حرارت مزاحم مواد سے بنا جس کے ذریعے کرنٹ گزرتا ہے۔
بانڈڈ SOI - SOI سبسٹریٹ دو سلکان ویفرز کو آکسیڈائزڈ سطحوں کے ساتھ جوڑ کر تشکیل دیا جاتا ہے جیسے کہ ایک ویفر سی کی دو تہوں کے درمیان سینڈویچ والی آکسائیڈ پرت کے ساتھ بنتا ہے۔ ایک ویفر کو بعد میں ایک مخصوص موٹائی تک پالش کیا جاتا ہے تاکہ ایک فعال پرت بنائی جا سکے جہاں آلات من گھڑت ہوں گے۔
بوران – متواتر جدول کے گروپ III سے عنصر؛ سلکان میں قبول کنندہ کے طور پر کام کرتا ہے؛ بورون واحد p قسم کا ڈوپینٹ ہے جو سلیکون ڈیوائس مینوفیکچرنگ میں استعمال ہوتا ہے۔
دخش - موٹائی کے کسی بھی تغیر سے آزاد ویفر سینٹرلائن کی مقعد، گھماؤ، یا اخترتی۔
BOX - SOI سبسٹریٹس میں دفن شدہ آکسائیڈ؛ wafers کے درمیان پرت.
C
کیمیکل مکینیکل پالش، سی ایم پی - ویفر سے سطحی مواد کو ہٹانے کا ایک عمل جو بعد میں پروسیسنگ کے لیے آئینے جیسی سطح کو حاصل کرنے کے لیے کیمیائی اور مکینیکل عمل کا استعمال کرتا ہے۔
چک مارک – روبوٹک اینڈ انفیکٹر، چک، یا چھڑی کی وجہ سے ویفر کی دونوں سطحوں پر کوئی بھی جسمانی نشان۔
صاف ستھرا کمرہ - سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ کے لیے ضروری الٹرا کلین جگہ۔ ہوا سے چلنے والے ذرات کو خلا سے مخصوص کم سے کم سطح تک ہٹا دیا جاتا ہے، کمرے کے درجہ حرارت اور نمی کو سختی سے کنٹرول کیا جاتا ہے۔ صاف ستھرے کمروں کی درجہ بندی کی جاتی ہے اور کلاس 1 سے کلاس 10 تک کی حد ہوتی ہے،000۔ تعداد فی مکعب فٹ ذرات کی تعداد کے مساوی ہے۔
کلیویج پلین - ایک کرسٹالوگرافی کو ترجیحی فریکچر ہوائی جہاز۔
کمپاؤنڈ سیمی کنڈکٹر - مصنوعی سیمی کنڈکٹر جو دو یا دو سے زیادہ عناصر کو استعمال کرتے ہوئے تشکیل دیا گیا ہے بنیادی طور پر گروپ II سے VI کے درمیانی جدول کے درمیان۔ کمپاؤنڈ سیمی کنڈکٹرز فطرت میں ظاہر نہیں ہوتے ہیں۔
چالکتا - آسانی کا ایک پیمانہ جس کے ساتھ چارج کیریئرز مواد میں بہہ جاتے ہیں؛ مزاحمت کا باہمی
کرسٹل - مواد کے پورے ٹکڑے میں ایٹموں کی متواتر مقامی ترتیب کو نمایاں کرنے والا ٹھوس۔
کرسٹل کے نقائص - ایک کرسٹل میں ایٹموں کی مثالی ترتیب سے نکلنا۔
Czochralski کرسٹل گروتھ، CZ - سنگل کرسٹل سالڈ حاصل کرنے کے لیے کرسٹل کھینچنے کا عمل؛ بڑے قطر کے سیمی کنڈکٹر ویفرز حاصل کرنے کا سب سے عام طریقہ (مثلاً 300 ملی میٹر سی ویفرز)؛ مطلوبہ چالکتا کی قسم اور ڈوپنگ لیول پگھلے ہوئے مواد میں ڈوپینٹس شامل کرکے پورا کیا جاتا ہے۔ ہائی اینڈ سی مائیکرو الیکٹرانکس میں استعمال ہونے والے ویفر تقریباً منفرد طور پر CZ اگائے جاتے ہیں۔
کرسٹل پلنگ - وہ عمل جس میں مائع-ٹھوس انٹرفیس پر پگھلنے اور مادی کنڈینس سے سنگل کرسٹل بیج آہستہ آہستہ نکالا جاتا ہے جو بتدریج سنگل کرسٹل مواد کا چھڑی کی شکل کا ٹکڑا بناتا ہے۔ کرسٹل کھینچنا Czochralski (CZ) سنگل کرسٹل ترقی کی تکنیک کی بنیاد ہے۔
D
ڈی ڈیفیکٹس - Si میں بہت چھوٹی خالی جگہیں خالی آسامیوں کے جمع ہونے سے بنتی ہیں۔
ڈینیوڈڈ زون - سیمی کنڈکٹر سبسٹریٹ کی سطح پر ایک بہت ہی پتلا خطہ جو کہ آلودگیوں اور/یا خرابیوں سے پاک ہو جاتا ہے۔
ڈائسنگ - سیمی کنڈکٹر ویفر کو انفرادی چپس میں کاٹنے کا عمل جس میں ہر ایک مکمل سیمی کنڈکٹر ڈیوائس ہوتا ہے۔ انتہائی باریک ڈائمنڈ بلیڈ کے ساتھ اعلی درستگی کے آرے کا استعمال کرتے ہوئے ترجیحی کرسٹالوگرافی طیاروں کے ساتھ ویفر کو جزوی طور پر کاٹ کر بڑے قطر کے ویفر ڈائسنگ کی جاتی ہے۔
ڈائی - پورے انٹیگریٹڈ سرکٹ پر مشتمل سیمی کنڈکٹر کا ایک ٹکڑا جسے ابھی تک پیک نہیں کیا گیا ہے۔ ایک چپ
ڈمپل - ہلکے ڈھلوان اطراف کے ساتھ ایک اتلی ڈپریشن جو ایک مقعر، کروی شکل کی نمائش کرتا ہے اور مناسب روشنی کے حالات میں غیر امدادی آنکھ کو نظر آتا ہے۔
ڈونر - ایک سیمی کنڈکٹر میں ایک نجاست یا خرابی جو کنڈکشن بینڈ میں الیکٹران کو عطیہ کرتی ہے، جس سے الیکٹران کی ترسیل ہوتی ہے۔
ڈوپینٹ - ایک کیمیائی عنصر، عام طور پر متواتر جدول کے تیسرے یا پانچویں کالم سے، سیمی کنڈکٹر کرسٹل میں اس کی چالکتا کی قسم اور مزاحمتی صلاحیت کو قائم کرنے کے لیے ٹریس مقدار میں شامل کیا جاتا ہے۔
ڈوپنگ - برقی مزاحمت کو کنٹرول کرنے کے لیے سیمی کنڈکٹر میں مخصوص نجاست کا اضافہ۔
E
ایلیمینٹل سیمی کنڈکٹر – متواتر جدول کے گروپ IV سے ایک واحد عنصر سیمی کنڈکٹر؛ سی، جی، سی، ایس این۔
EPI پرت - اصطلاح epitaxial یونانی لفظ سے آئی ہے جس کا مطلب ہے 'منظم شدہ'۔ سیمی کنڈکٹر ٹیکنالوجی میں، یہ فلم کے واحد کرسٹل ڈھانچے سے مراد ہے۔ ڈھانچہ اس وقت آتا ہے جب سی وی ڈی ری ایکٹر میں سلکان کے ایٹموں کو ننگے سلکان ویفر پر جمع کیا جاتا ہے۔ جب کیمیائی ری ایکٹنٹس کو کنٹرول کیا جاتا ہے اور سسٹم کے پیرامیٹرز کو درست طریقے سے سیٹ کیا جاتا ہے تو، جمع کرنے والے ایٹم کافی توانائی کے ساتھ ویفر کی سطح پر پہنچ جاتے ہیں تاکہ سطح پر گھوم سکیں اور خود کو ویفر ایٹموں کے کرسٹل ترتیب کی طرف راغب کریں۔ اس طرح ایک epitaxial فلم a پر جمع ہوئی۔<111>پر مبنی ویفر ایک پر لے جائے گا<111>واقفیت.
ایپیٹیکسیل پرت - ایپیٹیکسی کے دوران اگنے والی ایک پرت۔
Epitaxy - ایک ایسا عمل جس کے ذریعے سنگل کرسٹل مواد کی ایک پتلی "epitaxial" تہہ سنگل کرسٹل سبسٹریٹ پر جمع کی جاتی ہے۔ epitaxial ترقی اس طرح ہوتی ہے کہ سبسٹریٹ کی کرسٹالوگرافی ساخت بڑھتے ہوئے مواد میں دوبارہ پیدا ہوتی ہے۔ سبسٹریٹ کے کرسٹل نقائص بھی بڑھتے ہوئے مواد میں دوبارہ پیدا ہوتے ہیں۔ اگرچہ سبسٹریٹ کا کرسٹالوگرافی ڈھانچہ دوبارہ تیار کیا جاتا ہے، ڈوپنگ کی سطح اور ایک epitaxial تہہ کی چالکتا کی قسم کو سبسٹریٹ سے آزادانہ طور پر کنٹرول کیا جاتا ہے۔ مثال کے طور پر epitaxial تہہ کو سبسٹریٹ سے زیادہ کیمیاوی طور پر خالص بنایا جا سکتا ہے۔
Etch - ایک محلول، محلول کا مرکب، یا گیسوں کا مرکب جو کسی فلم یا سبسٹریٹ کی سطحوں پر حملہ کرتا ہے، مواد کو یا تو منتخب یا غیر منتخب طور پر ہٹاتا ہے۔
بخارات - پتلی فلم کے مواد کو جمع کرنے کے لیے استعمال ہونے والا عام طریقہ؛ جمع کیے جانے والے مواد کو ویکیوم (10-6 - 10-7 ٹور رینج) میں اس وقت تک گرم کیا جاتا ہے جب تک کہ یہ پگھل کر بخارات بننا شروع نہ کردے۔ یہ بخارات وانپیکرن چیمبر کے اندر ٹھنڈے سبسٹریٹ پر گاڑھا ہو کر بہت ہموار اور یکساں پتلی فلمیں بناتا ہے۔ اعلی پگھلنے والے مواد کے لئے موزوں نہیں؛ پتلی فلم کی تشکیل کا PVD طریقہ۔
بیرونی، خارجی گیٹرنگ - وہ عمل جس میں سیمی کنڈکٹر ویفر میں آلودگیوں اور نقائص کو حاصل کرنا اس کی پچھلی سطح پر دباؤ ڈال کر (نقصان پہنچا کر یا سیمی کنڈکٹر تھرمل ایکسپینشن گتانک سے مختلف مواد کو جمع کرکے) اور پھر تھرمل طور پر ویفر کا علاج کر کے مکمل کیا جاتا ہے۔ آلودگی اور/یا نقائص کو پچھلی سطح کی طرف اور سامنے کی سطح سے دور منتقل کیا جاتا ہے جہاں سیمی کنڈکٹر ڈیوائسز بن سکتی ہیں۔
F
فلیٹ - ایک سرکلر ویفر کے دائرہ کا ایک حصہ جسے ایک راگ میں ہٹا دیا گیا ہے۔
چپٹا پن - ویفر کی سطحوں کے لیے، سامنے کی سطح کا انحراف، جس کا اظہار TIR یا زیادہ سے زیادہ FPD میں ہوتا ہے، ایک مخصوص حوالہ والے جہاز کے نسبت جب ویفر کی پچھلی سطح مثالی طور پر چپٹی ہوتی ہے، جیسا کہ جب ویکیوم کے ذریعے مثالی طور پر صاف، فلیٹ پر کھینچا جاتا ہے۔ چک
فلوٹ زون کرسٹل گروتھ، ایف زیڈ - واحد کرسٹل سیمی کنڈکٹر سبسٹریٹس (سی زیڈ کا متبادل) بنانے کے لیے استعمال ہونے والا طریقہ؛ پولی کرسٹل مواد مقامی طور پر ہوائی جہاز کو پگھلا کر سنگل کرسٹل میں تبدیل کیا جاتا ہے جہاں ایک کرسٹل بیج پولی کرسٹل مواد سے رابطہ کر رہا ہوتا ہے۔ بہت خالص، اعلی مزاحمتی سی ویفرز بنانے کے لیے استعمال کیا جاتا ہے۔ بڑے wafers کے طور پر اجازت نہیں دیتا (< 200mm) as CZ does; radial distribution of dopant in FZ wafer is not as uniform as in CZ wafer.
فوکل طیارہ - امیجنگ سسٹم کے آپٹیکل محور پر کھڑا طیارہ جس میں امیجنگ سسٹم کا فوکل پوائنٹ ہوتا ہے۔
G
حاصل کرنا - وہ عمل جو سیمی کنڈکٹر میں آلودگیوں اور/یا نقائص کو اس کی اوپری سطح سے اس کے بلک میں لے جاتا ہے اور انہیں وہاں پھنسا دیتا ہے، جس سے ایک منحرف زون بنتا ہے۔
گلوبل فلیٹنس - TIR یا زیادہ سے زیادہ FPD FQA کے اندر ایک مخصوص حوالہ والے طیارے کے نسبت۔
H
کہرا - سطح کی ٹپوگرافی (مائیکرو کھردری) یا سطح یا قریب سطح کی خامیوں کے گھنے ارتکاز کے نتیجے میں غیر مقامی روشنی کا بکھرنا۔
HMDS - Hexamethyldisilizane؛ ایک ویفر کی سطح پر photoresist کے آسنجن کو بہتر بناتا ہے؛ خاص طور پر SiO2 کے ساتھ photoresist کے چپکنے کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے۔ مزاحمت کے جمع ہونے سے پہلے ویفر کی سطح پر جمع کیا جاتا ہے۔
I
انگوٹ - پولی کرسٹل لائن یا سنگل کرسٹل سلکان کا ایک سلنڈر یا مستطیل ٹھوس، عام طور پر قدرے بے قاعدہ طول و عرض کا۔
اندرونی گیٹرنگ - وہ عمل جس میں سیمی کنڈکٹر میں آلودگیوں اور/یا نقائص کو حاصل کیا جاتا ہے (ویفر کے ساتھ کسی جسمانی تعامل کے بغیر) گرمی کے علاج کی ایک سیریز کے ذریعے۔
J
جیڈا فلیٹ - بڑے/معمولی فلیٹ کی لمبائی کے لیے جاپانی معیار
L
لائن کی خرابی - سندچیوتی.
لوکلائزڈ لائٹ سکیٹر - ایک الگ تھلگ خصوصیت، جیسے کہ ذرہ یا گڑھا، کسی ویفر کی سطح پر یا اس میں، جس کے نتیجے میں آس پاس کی ویفر سطح کے مقابلے میں روشنی کے بکھرنے کی شدت میں اضافہ ہوتا ہے۔ کبھی کبھی روشنی نقطہ کی خرابی کہا جاتا ہے.
M
ملر انڈیکسز - یونٹ کی لمبائی کے تین کرسٹل محوروں پر ہوائی جہاز کے انٹرسیپٹس کے باہم متناسب چھوٹے عدد۔
اقلیتی کیریئر - چارج کیریئر کی قسم جو کل چارج کیریئر حراستی کے نصف سے بھی کم پر مشتمل ہے۔
مانیٹر گریڈ - زیادہ تر پارٹیکل مانیٹر کے لیے استعمال کیا جاتا ہے۔
N
نینو میٹر، nm - لمبائی کی اکائی جو عام طور پر سیمی کنڈکٹر انڈسٹری میں استعمال ہوتی ہے۔ ایک میٹر کا ایک اربواں حصہ، 10-9m [nm]؛ مائیکرو چِپ اور مائیکرو ٹیکنالوجی جیسی اصطلاحات کو نینو چِپ اور نینو ٹیکنالوجی سے تبدیل کیا جا رہا ہے۔
نوچ - مخصوص شکل اور طول و عرض کا جان بوجھ کر گھڑا ہوا حاشیہ اس طرح کہ نشان کے مرکز سے گزرنے والا قطر ایک مخصوص کم انڈیکس کرسٹل سمت کے متوازی ہو۔
N-type Semiconductor – semiconductor in which the concentration of electrons is much higher than the concentration of holes (p>>n) الیکٹران اکثریتی کیریئر ہیں اور چالکتا پر غلبہ رکھتے ہیں۔
O
سلیکون میں آکسیجن - آکسیجن سیزکرالسکی سنگل کرسٹل ترقی کے عمل کے دوران سلیکون میں اپنا راستہ تلاش کرتی ہے۔ اعتدال پسند ارتکاز میں (1017cm3 سے نیچے) آکسیجن سلکان ویفر کی مکینیکل خصوصیات کو بہتر بناتی ہے؛ اضافی آکسیجن سلیکون میں این ٹائپ ڈوپینٹ کے طور پر کام کرتی ہے۔
P
پارٹیکل - غیر ملکی مواد یا سلکان کا ایک چھوٹا، مجرد ٹکڑا جو کرسٹالگرافی کو ویفر سے منسلک نہیں کرتا ہے۔
جسمانی بخارات کا ذخیرہ، PVD - پتلی فلم کا جمع ماخذ سے سبسٹریٹ تک مواد کی جسمانی منتقلی (مثلاً تھرمل بخارات اور پھٹنے) کے ذریعے ہوتا ہے۔ اس عمل میں جمع شدہ مواد کی کیمیائی ساخت کو تبدیل نہیں کیا جاتا ہے۔
پلانر ڈیفیکٹ – جسے ایریا ڈیفیکٹ بھی کہا جاتا ہے۔ بنیادی طور پر سندچیوتی کی ایک صف، جیسے اناج کی حدود، اسٹیکنگ فالٹس۔
پوائنٹ کی خرابی - ایک مقامی کرسٹل کی خرابی جیسے جالی کی خالی جگہ، بیچوالا ایٹم، یا متبادل نجاست۔ روشنی پوائنٹ کی خرابی کے ساتھ تضاد۔
پالش کرنا - یہ عمل یا تو ویفر کی سطح کی کھردری کو کم کرنے یا سطح سے اضافی مواد کو ہٹانے کے لیے لاگو کیا جاتا ہے۔ عام طور پر پالش کرنا ایک مکینیکل-کیمیائی عمل ہے جس میں کیمیاوی طور پر رد عمل والی گارا استعمال کیا جاتا ہے۔
پولی کرسٹل لائن میٹریل، پولی - بہت سے (اکثر) چھوٹے سنگل کرسٹل کے علاقے تصادفی طور پر ایک ٹھوس بنانے کے لیے جڑے ہوتے ہیں۔ خطوں کا سائز مواد اور اس کی تشکیل کے طریقہ کار پر منحصر ہوتا ہے۔ بھاری ڈوپڈ پولی سی کو عام طور پر سلیکون MOS اور CMOS آلات میں گیٹ کانٹیکٹ کے طور پر استعمال کیا جاتا ہے۔
پرائمری فلیٹ - ویفر پر سب سے لمبی لمبائی کا فلیٹ، اس طرح پر مبنی کہ راگ ایک مخصوص کم انڈیکس کرسٹل ہوائی جہاز کے متوازی ہو۔ بڑا فلیٹ.
پرائم گریڈ - سلکان ویفر کا سب سے اعلیٰ درجہ۔ SEMI سلکان ویفرز کو "پرائم ویفرز" کے طور پر لیبل کرنے کے لیے درکار بلک، سطح اور جسمانی خصوصیات کی نشاندہی کرتا ہے۔ آلات وغیرہ بنانے کے لیے استعمال کیا جاتا ہے، بہترین گریڈ میں سخت مکینیکل اور برقی خصوصیات ہیں۔
P-type Semiconductor – semiconductor in which the concentration of holes is much higher than the concentration of electrons (n>>p) سوراخ اکثریتی کیریئر ہیں اور چالکتا پر غلبہ رکھتے ہیں۔
Q
کوارٹج - سنگل کرسٹل SiO2۔
R
دوبارہ دعویٰ گریڈ - ایک کم معیار کا ویفر جو مینوفیکچرنگ میں استعمال کیا گیا ہے اور پھر دوبارہ دعوی کیا گیا ہے (ایچڈ یا پالش) اور بعد میں مینوفیکچرنگ میں دوبارہ استعمال کیا گیا ہے۔
مزاحمتی صلاحیت (الیکٹریکل) – مشکل کا وہ پیمانہ جس کے ساتھ چارج شدہ کیرئیر کسی مواد سے گزرتے ہیں۔ چالکتا کا باہمی۔
کھردری - سطح کی ساخت کے زیادہ تنگ فاصلے والے اجزاء۔
S
نیلم - سنگل کرسٹل Al2O3؛ مختلف شکلوں میں ترکیب اور عملدرآمد کیا جا سکتا ہے؛ کیمیائی طور پر انتہائی مزاحم؛ UV تابکاری سے شفاف۔
SC1 - معیاری RCA کلین ترتیب میں پہلا کلیننگ غسل، NH4OH/H2O2/H2O سلوشن جو Si سطح سے ذرات کو ہٹانے کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے۔
SC2 - معیاری RCA کلین ترتیب میں دوسرا کلیننگ غسل، HCl/H2O2/H2O محلول جو Si سطح سے دھاتوں کو ہٹانے کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے۔
سیکنڈری فلیٹ - پرائمری اورینٹیشن فلیٹ سے چھوٹا لمبائی کا فلیٹ، جس کی پوزیشن پرائمری اورینٹیشن فلیٹ کے حوالے سے ویفر کی قسم اور واقفیت کی نشاندہی کرتی ہے۔ معمولی فلیٹ.
سیڈ کرسٹل - کرسٹل اگانے میں استعمال ہونے والا واحد کرسٹل مواد جس میں اس پیٹرن کو دوبارہ تیار کیا جاتا ہے اس مواد کی نشوونما کے لیے ایک نمونہ قائم کیا جاتا ہے۔
سلکان – سب سے عام سیمی کنڈکٹر، ایٹم نمبر 14، توانائی کا فرق مثلاً=1.12 eV-بالواسطہ بینڈ گیپ؛ کرسٹل ڈھانچہ- ہیرا، جالی مستقل 0.543 nm، جوہری ارتکاز 5×1022 ایٹم/سینٹی میٹر، انڈیکس آف ریفریکشن 3.42، کثافت 2.33 جی/سینٹی میٹر، ڈائی الیکٹرک مستقل 11.7، اندرونی کیریئر ارتکاز 1.02}{101} }، 300º K: 1450 اور 500 cm2/Vs پر الیکٹرانوں اور سوراخوں کی نقل و حرکت، تھرمل چالکتا 1.31 W/cmºC، تھرمل ایکسپینشن گتانک 2.6×10-6 ºC-1، پگھلنے کا نقطہ 1414ºC؛ بہترین میکانی خصوصیات (MEMS ایپلی کیشنز)؛ سنگل کرسٹل سی کو 300 ملی میٹر قطر تک ویفرز میں پروسیس کیا جا سکتا ہے۔
سائٹ فلیٹنس - TIR یا کسی سائٹ کے حصے کا زیادہ سے زیادہ FPD جو FQA کے اندر آتا ہے۔
SOI - سلکان آن انسولیٹر؛ مستقبل کی نسل کے CMOS ICs میں انتخاب کا سلکان سبسٹریٹ؛ بنیادی طور پر ایک سلکان ویفر جس میں آکسائیڈ (SiO2) کی ایک پتلی پرت دفن ہوتی ہے۔ آلات دفن شدہ آکسائڈ کے اوپر سلیکون کی ایک تہہ میں بنائے جاتے ہیں اور اس طرح سبسٹریٹ سے برقی طور پر الگ تھلگ ہوتے ہیں۔ SOI سبسٹریٹس ایک IC میں ملحقہ آلات کے درمیان بہتر تنہائی فراہم کرتے ہیں۔ SOI آلات نے پرجیوی صلاحیتوں کو کم کیا ہے۔
SOS - سلکان آن سیفائر؛ SOI کا خاص معاملہ جہاں ایک فعال Si پرت نیلم کے سبسٹریٹ (ایک انسولیٹر) کے اوپر epitaxial deposition کے ذریعے بنتی ہے۔ سی اور نیلم کے درمیان تھوڑی سی جالی کی مماثلت کی وجہ سے، اہم موٹائی سے بڑی سی ایپیٹیکسیل تہوں میں زیادہ خرابی کی کثافت ہوتی ہے۔
SIMOX - آکسیجن کی پیوند کاری کے ذریعے علیحدگی؛ آکسیجن کے آئنوں کو سی سبسٹریٹ میں دوبارہ لگایا جاتا ہے اور دفن شدہ آکسائڈ کی تہہ بنتی ہے۔ SOI ویفرز بناتے وقت SIMOX ایک عام تکنیک ہے۔
سنگل کرسٹل - کرسٹل لائن ٹھوس جس میں ایٹموں کو مواد کے پورے ٹکڑے میں مخصوص پیٹرن کے مطابق ترتیب دیا جاتا ہے۔ عام طور پر، واحد کرسٹل مواد میں پولی کرسٹل لائن اور بے ساختہ مواد کے مقابلے میں اعلیٰ الیکٹرانک اور فوٹوونک خصوصیات ہیں، لیکن اسے بنانا زیادہ مشکل ہے۔ تمام ہائی اینڈ سیمی کنڈکٹر الیکٹرانک اور فوٹوونک مواد سنگل کرسٹل سبسٹریٹس کا استعمال کرتے ہوئے من گھڑت ہیں۔
سنگل ویفر کا عمل - اس وقت صرف ایک ویفر پر کارروائی ہوتی ہے۔ ٹولز جو خاص طور پر سنگل ویفر پروسیسنگ کے لیے بنائے گئے ہیں ویفر کے قطر میں اضافہ کے ساتھ زیادہ عام ہو جاتے ہیں۔
سلائس اورینٹیشن - ایک سلائس کی سطح اور کرسٹل کے گروتھ پلین کے درمیان کا زاویہ۔ سب سے زیادہ عام سلائس واقفیت ہیں<100>, <111>اور<110>.
سلائسنگ - اصطلاح سے مراد سنگل کرسٹل پنڈ کو ویفرز میں کاٹنے کا عمل ہے۔ اعلی صحت سے متعلق ہیرے کے بلیڈ استعمال کیے جاتے ہیں۔
گارا - ایک مائع جس میں معطل کھرچنے والا جزو ہوتا ہے۔ ٹھوس سطحوں کو لیپ کرنے، پالش کرنے اور پیسنے کے لیے استعمال کیا جاتا ہے۔ کیمیائی طور پر فعال ہو سکتا ہے؛ CMP عمل کا کلیدی عنصر۔
سمارٹ کٹ - ایکٹیو لیئر کی مطلوبہ موٹائی کے قریب اوپر والے ویفر کو کلیو کر کے بانڈڈ SOI سبسٹریٹس کو بنانے کے لیے استعمال کیا جاتا ہے۔ بانڈنگ سے پہلے، ایک ویفر کو ہائیڈروجن کے ساتھ گہرائی تک لگایا جاتا ہے جو مستقبل کے SOI ویفر میں ایک فعال پرت کی موٹائی کا تعین کرے گا؛ بانڈنگ کے بعد، ویفر کو اینیل کیا جاتا ہے (~500ºC پر) جس وقت ویفر دباؤ والے جہاز کے ساتھ الگ ہوجاتا ہے۔ پرتیاروپت ہائیڈروجن. نتیجہ Si کی ایک بہت پتلی پرت ہے جو SOI سبسٹریٹ بناتی ہے۔
تھوکنا، تھوک جمع کرنا - اعلی توانائی کیمیکل طور پر غیر فعال آئنوں (جیسے Ar+) کے ذریعے ٹھوس (ٹارگٹ) پر بمباری؛ ہدف سے ایٹموں کے اخراج کا سبب بنتا ہے جو اس کے بعد ہدف کے آس پاس واقع سبسٹریٹ کی سطح پر دوبارہ جمع کیے جاتے ہیں۔ دھاتوں اور آکسائڈز کے جسمانی بخارات جمع کرنے کا عام طریقہ۔
سپٹرنگ ٹارگٹ – تھوک جمع کرنے کے عمل کے دوران ماخذ مواد؛ عام طور پر ویکیوم چیمبر کے اندر ایک ڈسک جو بمباری کرنے والے آئنوں کے سامنے ہوتی ہے، ذریعہ ایٹموں کو ڈھیلے اور نمونوں پر دستک دیتا ہے۔
سطح کا نقصان - سنگل کرسٹل سیمی کنڈکٹر سبسٹریٹس کی سطح پر کرسٹالوگرافی آرڈر میں عمل سے متعلق رکاوٹ؛ عام طور پر خشک اینچنگ اور آئن امپلانٹیشن کے دوران اعلی توانائی کے آئنوں کے ساتھ سطح کے تعامل کی وجہ سے ہوتا ہے۔
سطح کی کھردری - سیمی کنڈکٹر کی سطح کی منصوبہ بندی میں خلل؛ سطح کی بلند ترین اور گہری خصوصیات کے درمیان فرق کے طور پر ماپا جاتا ہے۔ epitaxial تہوں کے ساتھ 0.06nm یا اعلی معیار کے Si wafers تک کم ہو سکتے ہیں۔
T
ہدف - بخارات یا جمع کرنے کے دوران استعمال ہونے والا ماخذ مواد؛ پھٹنے میں، عام طور پر اعلی طہارت ڈسک کی شکل میں؛ ای-بیم کے بخارات میں، عام طور پر کروسیبل کی شکل میں۔ تھرمل بخارات میں، ماخذ مواد کو عام طور پر ایک کشتی میں رکھا جاتا ہے جسے مزاحمتی طور پر گرم کیا جاتا ہے۔
ٹیسٹ گریڈ - پرائم سے کم معیار کا ایک کنواری سلکان ویفر، اور بنیادی طور پر جانچ کے عمل کے لیے استعمال ہوتا ہے۔ SEMI سلکان ویفرز کو "ٹیسٹ ویفرز" کے طور پر لیبل کرنے کے لیے درکار بلک، سطح اور جسمانی خصوصیات کی نشاندہی کرتا ہے۔ تحقیق اور جانچ کے آلات میں استعمال کیا جاتا ہے۔
تھرمل آکسیڈیشن، تھرمل آکسائڈ – بلند درجہ حرارت پر سطح کے آکسیکرن کے ذریعے سبسٹریٹ پر آکسائیڈ کی افزائش؛ سلکان کے تھرمل آکسیکرن کے نتیجے میں ایک بہت ہی اعلیٰ معیار کا آکسائیڈ، SiO2؛ زیادہ تر دوسرے سیمی کنڈکٹرز ڈیوائس کوالٹی تھرمل آکسائڈ نہیں بناتے ہیں، اس لیے، "تھرمل آکسیڈیشن" تقریباً "سلیکون کے تھرمل آکسیڈیشن" کا مترادف ہے۔
ٹوٹل انڈیکیٹر ریڈنگ (TIR) - دو طیاروں کے درمیان سب سے چھوٹا کھڑا فاصلہ، دونوں حوالہ جات کے متوازی، جو FQA، سائٹ، یا سبسائٹ کے اندر ویفر کی اگلی سطح پر تمام پوائنٹس کو گھیرے ہوئے ہے، اس پر منحصر ہے کہ جس کی وضاحت کی گئی ہے۔
کل موٹائی کا تغیر (TTV) - ویفر کی موٹائی میں زیادہ سے زیادہ تغیر۔ کل موٹائی کا تغیر عام طور پر کراس پیٹرن کے 5 مقامات پر ویفر کی پیمائش کرکے (ویفر کنارے کے زیادہ قریب نہیں) اور موٹائی میں زیادہ سے زیادہ ناپے گئے فرق کا حساب لگا کر طے کیا جاتا ہے۔
W
ویفر - پتلا (موٹائی ویفر کے قطر پر منحصر ہے، لیکن عام طور پر 1 ملی میٹر سے کم ہوتی ہے)، سنگل کرسٹل سیمی کنڈکٹر کے انگوٹ سے کٹے ہوئے سنگل کرسٹل سیمی کنڈکٹر مواد کا سرکلر ٹکڑا؛ سیمی کنڈکٹر آلات اور مربوط سرکٹس کی تیاری میں استعمال کیا جاتا ہے۔ ویفر کا قطر 25 ملی میٹر سے 300 ملی میٹر تک ہو سکتا ہے۔
ویفر بانڈنگ - وہ عمل جس میں دو سیمی کنڈکٹر ویفرز کو ایک ہی سبسٹریٹ بنانے کے لیے بانڈ کیا جاتا ہے۔ عام طور پر SOI سبسٹریٹس کی شکل میں لاگو ہوتا ہے۔ مختلف مواد کے ویفرز کا بانڈنگ، جیسے Si پر GaAs، یا SiC پر Si؛ ملتے جلتے مواد کے تعلقات سے زیادہ مشکل ہے.
ویفر ڈایا میٹر - ایک سرکلر سلائس کی سطح پر لکیری فاصلہ جس میں سلائس سینٹر ہوتا ہے اور کسی بھی فلیٹ یا دیگر پردیی فیڈوسیری ایریاز کو خارج کرتا ہے۔ معیاری سلکان ویفر قطر ہیں: 25.4mm (1″)، 50.4mm (2″)، 76.2mm (3″)، 100mm (4″)، 125mm (5″)، 150mm (6″)، 200mm (8″) ، اور 300mm (12″)۔
ویفر فیبریکیشن - وہ عمل جس میں سنگل کرسٹل سیمی کنڈکٹر انگوٹ کو مطلوبہ قطر اور جسمانی خصوصیات کے ساتھ ایک سرکلر ویفر میں کاٹنے، پیسنے، پالش کرنے اور صفائی کے ذریعے من گھڑت اور تبدیل کیا جاتا ہے۔
ویفر فلیٹ - ویفر کے فریم پر فلیٹ ایریا؛ مقام اور ویفر فلیٹوں کی تعداد میں ویفر کے کرسٹل واقفیت اور ڈوپینٹ کی قسم (n-type یا p-type) کے بارے میں معلومات شامل ہیں۔
وارپ - ایک ٹکڑا یا ویفر سنٹر لائن کے ہوائی جہاز سے انحراف جس میں مقعر اور محدب خطہ دونوں ہوتے ہیں۔
