200 ملی میٹر ایپیٹیکسیل سبسٹریٹس کے لیے بیک سائیڈ سیل ٹیکنالوجی: پولی-سی، ایل ٹی او، اور آٹوڈوپنگ کنٹرول - خبریں

اہم نکات

بیک سائیڈ سیل (BS) سلکان ویفر کی پچھلی سطح پر ایک فنکشنل فلم سسٹم ہے۔ یہ پیکیجنگ کا عمل نہیں ہے، اور یہ ڈبل سائیڈ پالش یا ایپیٹیکسیل پرت کا مترادف نہیں ہے۔ یہ مضمون عام طور پر استعمال ہونے والے Poly-Si + LTO SiO₂ جامع ڈھانچے پر مرکوز ہے۔
تقریباً 800 nm Poly-Si کے علاوہ تقریباً 400 nm SiO₂ ایک عام مثال ہے جو ساختی مباحثوں اور سورسنگ انکوائریوں میں استعمال ہوتی ہے۔ یہ یکساں SEMI معیار نہیں ہے۔ آکسائڈ بیک سیل موٹائی کی عوامی طور پر قابل تصدیق مثال 300-500 nm (BYU) ہے۔
کامنز (1980) کی کلاسیکی تحقیق سے پتہ چلتا ہے کہ ایل پی سی وی ڈی سلکان فلمیں 600 ڈگری سے زیادہ پولی کرسٹل لائن اور 600 ڈگری سے نیچے بے شکل ہوتی ہیں۔ پبلک یونیورسٹی کے آلات کی معلومات پولی-سی کے لیے 620 ڈگری اور بے ساختہ سلیکون کے لیے 550 ڈگری کے پروسیس پوائنٹس کی فہرست دیتی ہے۔ اصل درجہ حرارت کی تصدیق آلات، فلم کی خصوصیات اور تناؤ کی ضروریات کے ساتھ ہونی چاہیے۔
Poly-Si بنیادی طور پر بیک سائیڈ ایکسٹرنسک گیٹرنگ کو سپورٹ کرتا ہے، جبکہ SiO₂ بنیادی طور پر بیک سائیڈ سے ڈوپینٹ فرار کو روکتا ہے۔ بیک سائیڈ سیل ہر آٹو ڈوپنگ پاتھ وے کو ختم نہیں کر سکتی، اور نہ ہی یہ ایج پروسیسنگ سے آزادانہ طور پر کم پارٹیکل لیول کی ضمانت دے سکتی ہے۔
پروکیورمنٹ کی وضاحتیں "BS, 800/400" پر نہیں رکنی چاہئیں۔ انہیں اسٹیک کی ترتیب، فلم کی موٹائی کی رواداری، ایج مورفولوجی، بو/وارپ، اور پوسٹ ایپیٹیکسی ریسسٹیویٹی اور پارٹیکل کی تصدیق کی بھی وضاحت کرنی چاہیے۔

جب ایک بھاری ڈوپڈ سبسٹریٹ ایپیٹیکسیل ری ایکٹر میں داخل ہوتا ہے، تو مطلوبہ نتیجہ ایک ہلکی ڈوپڈ ایپیٹیکسیل تہہ ہوتا ہے جس میں کنٹرولڈ ریزسٹیویٹی ہوتی ہے۔ پھر بھی ویفر کنارے کے قریب مزاحمتی صلاحیت ہدف سے ہٹ سکتی ہے۔ دوسری صورتوں میں، سبسٹریٹ آنے والی تمام جیومیٹرک تصریحات کو پورا کرتا ہے لیکن epitaxy اور صفائی کے بعد ذرات یا غیر معمولی وار پیج تیار کرتا ہے۔ اس کی وجہ صرف epitaxial نسخہ میں نہیں ہوسکتی ہے۔ اس میں سبسٹریٹ کے پچھلے حصے پر دو پتلی فلمیں بھی شامل ہوسکتی ہیں۔

اگرچہ بیک سائیڈ سیل ڈیوائس کی سطح پر واقع نہیں ہے، لیکن یہ ڈوپینٹ ٹرانسپورٹ، دھاتی ناپاکی حاصل کرنے، فلم کے دباؤ، اور کنارے کی سالمیت کو متاثر کرتی ہے۔ اسے سمجھنے کے لیے اسے "پیٹھ پر ایک حفاظتی تہہ" کے طور پر سوچنے سے کہیں زیادہ درکار ہے۔

1. بیک سائیڈ سیل کیا ہے؟ BS، ڈبل سائیڈ پالش، اور ایپیٹیکسیل کی تمیز کرنا سبسٹریٹس

اس آرٹیکل میں، بیک سائیڈ سیل سے مراد ایک فنکشنل فلم سسٹم ہے جو سلیکون ویفر کی پچھلی سطح پر جمع ہوتا ہے۔ ایک عام جامع ڈھانچہ، جو سلیکون سبسٹریٹ سے باہر کی طرف درج ہے، یہ ہے:

سنگل کرسٹل سلکان سبسٹریٹ بیک سائیڈ → پولی-سی (پولی سیلیکون) → LTO SiO₂(کم درجہ حرارت آکسائڈ ٹوپی)

دونوں پرتیں مختلف کام انجام دیتی ہیں۔ Poly-Si بیک سائیڈ ایکسٹرنسک گیٹرنگ فراہم کرتا ہے اور کسی حد تک ڈوپینٹ کے فرار کو دبانے میں بھی مدد کر سکتا ہے۔ بیرونی SiO₂ پرت بنیادی طور پر پھیلاؤ کی رکاوٹ کا کام کرتی ہے اور بنیادی فلم کو الگ کرتی ہے۔ اصل مصنوعات اس کے بجائے اکیلے LTO، اکیلے پولی بیک، یا زیادہ پیچیدہ ملٹی لیئر امتزاج استعمال کر سکتی ہیں۔ Okmetic، مثال کے طور پر، اس کے اختیارات میں LTO backseal، Polyback، اور Poly-LTO- Poly سپر سیلنگ کی فہرست دیتا ہے۔ "بیک سائیڈ سیل" اس لیے ایک فنکشنل زمرہ ہے، ایک فکسڈ اسٹیک نہیں۔

اسے درج ذیل تین تصورات سے الجھنا نہیں چاہیے۔

ڈبل سائیڈ پالش (DSP):یہ فلم کے جمع ہونے سے پہلے سامنے اور پیچھے کی سطحوں کی حالت کو بیان کرتا ہے۔ بیک سائیڈ سیل کے کچھ عمل DSP ویفرز کے ساتھ شروع ہوتے ہیں، لیکن پولی-سی جمع ہونے کے بعد، بیک سائیڈ ایک فنکشنل فلم سے ڈھک جاتی ہے۔ اس لیے تیار شدہ پروڈکٹ کو صرف ننگے سلکان ڈی ایس پی ویفر کے طور پر بیان نہیں کیا جانا چاہیے۔
ایپیٹیکسیل گریڈ سبسٹریٹ:یہ مطلوبہ استعمال کی وضاحت کرتا ہے۔ بیک سائیڈ سیلنگ ایپیٹیکسیل گریڈ سبسٹریٹس کے لیے بیک سائیڈ انجینئرنگ کی ایک اختیاری شکل ہے۔ ہر epitaxial سبسٹریٹ کو ایک ہی Poly-Si + LTO ڈھانچہ کی ضرورت نہیں ہے۔
ایپیٹیکسیل ویفر:یہ ایک تیار شدہ ویفر ہے جس کی اگلی سطح پر ایک epitaxial تہہ ہوتی ہے۔ بیک سائیڈ پر مہر بند سبسٹریٹ اپیٹیکسیل نمو کے بعد ہی ایپیٹیکسیل ویفر بن جاتا ہے۔ بیک سائیڈ سیل بذات خود ایک epitaxial تہہ نہیں ہے۔

ایک عام عمل کے بہاؤ میں، پولی-سی جمع سامنے اور پچھلی دونوں سطحوں کو کوٹ کر سکتا ہے۔ سامنے والے پولی سیلیکون کو بعد میں پالش کرکے ہٹا دیا جاتا ہے، اس کے بعد کنارے کو ہٹانا اور صاف کیا جاتا ہے، جس سے کمپوزٹ فلم سسٹم کو پیچھے کی طرف چھوڑ دیا جاتا ہے۔ پس پشت سگ ماہی ایک الگ تھلگ کوٹنگ مرحلہ نہیں ہے، بلکہ پالش، کنارے ہٹانے، اور صفائی کے ساتھ مربوط عمل ہے۔

2.800 nm + 400 nm کا ڈھانچہ کیسے بنایا جاتا ہے؟ ایک عام مثال کو یونیورسل سے الگ کریں۔ تفصیلات

Poly-Si: LPCVD Silane Pyrolysis، درجہ حرارت کے ساتھ مرحلے کا تعین کرتا ہے

روایتی LPCVD Poly-Si سائلین کے تھرمل سڑن کا استعمال کرتا ہے، جسے SiH₄ کے طور پر آسان بنایا جا سکتا ہے۔

* Si + 2H₂. کامنز کا 1980 میں LPCVD سلکان فلموں کا 525‒725 ڈگری کی حد سے زیادہ کا مطالعہ اس میدان میں ایک کلاسک حوالہ ہے:600 ڈگری سے اوپر بننے والی فلمیں پولی کرسٹل لائن ہوتی ہیں، جبکہ کم درجہ حرارت پر بننے والی فلمیں بے ساختہ ہوتی ہیں۔، اور جمع کرنے والے درجہ حرارت کے ساتھ فلم کی ساخت میں نمایاں تبدیلی آتی ہے۔ نیشنل یانگ منگ چیاؤ تنگ یونیورسٹی سے عوامی LPCVD آلات کی معلومات اسی ٹول پر موازنہ کے عمل کے نکات فراہم کرتی ہے:پولی-سی کے لیے 620 ڈگری اور بے ترتیب سلکان کے لیے 550 ڈگریسائلین پر مبنی عمل میں، نیز فاسفورس ڈوپڈ پولی سیلیکون کے لیے 585 ڈگری۔

اس طرح، عام انجینئرنگ کی مشق پولی سیلیکون کو 600 ڈگری سے اوپر رکھتی ہے، اکثر 620 ڈگری کے آس پاس۔ تاہم، آلات، فلم کی خصوصیات، اور کشیدگی کے اہداف کے خلاف اصل درجہ حرارت کی تصدیق ہونی چاہیے۔ ہر آلے پر کوئی ایک درجہ حرارت لاگو نہیں ہوتا ہے۔

LTO SiO₂: کم درجہ حرارت سلکان آکسائیڈ جمع کرنا ایک ٹول یا ایک رد عمل کا مطلب نہیں ہے راستہ

LTO کا مطلب ہے کم درجہ حرارت آکسائیڈ۔ ایک سائلین-آکسیجن کا رد عمل ایک عام عمل کا راستہ ہے، جس میں تقریباً 400-450 ڈگری کی ایک عام صنعت جمع کھڑکی ہوتی ہے۔ "کم درجہ حرارت" زیادہ درجہ حرارت کے عمل جیسے تھرمل آکسیڈیشن یا تقریباً 700 ڈگری پر TEOS پر مبنی جمع سے متعلق ہے۔ بیک سائیڈ سیلنگ کے لیے استعمال ہونے والے LTO کو APCVD، LPCVD، یا دیگر طریقوں سے لاگو کیا جا سکتا ہے۔ پروکیورمنٹ ڈرائنگ میں صرف "LTO" کی اصطلاح سے کسی ٹول اور ترکیب کا اندازہ لگانے کے بجائے فلم کی مطلوبہ خصوصیات اور کارکردگی کی وضاحت کرنی چاہیے۔

موٹائی: 800/400 ایک عام ساختی مثال ہے، عالمی معیار نہیں

تقریباً 800 nm Poly-Si کے علاوہ SiO₂ کا تقریباً 400 nm صنعت کی پوچھ گچھ اور ڈرائنگ مباحثوں میں ایک عام مثال ہے، اور یہ تکنیکی مواصلات کے لیے نقطہ آغاز کے طور پر کام کر سکتا ہے۔ عوامی طور پر دستیاب کراس حوالہ BYU کلین روم کی ویفر تفصیلات ہے:epitaxial wafers میں عام طور پر ایک خصوصیت والا آکسائیڈ بیک سیل ہوتا ہے، عام طور پر 3000-5000 Å موٹی (300-500 nm)، جو بوران کو اعلی درجہ حرارت کے ایپیٹیکسی کے دوران پچھلے حصے سے فرار ہونے اور سامنے کی ہلکی ڈوپڈ ایپیٹیکسیل پرت کو آلودہ کرنے سے روکتا ہے۔ یہ تقریباً 400 nm آکسائیڈ کیپ کی شدت کے حکم سے مطابقت رکھتا ہے۔

اس بات پر زور دینا ضروری ہے کہ مخصوص Poly-Si اور LTO موٹائی کا مجموعہ سپلائر، ڈوپینٹ کی قسم، اور درخواست کے مقصد کے لحاظ سے مختلف ہوتا ہے۔ 800/400 کو ایک صنعتی تصریح کے طور پر پیش کرنے کے لیے، یا یہ اندازہ لگانے کے لیے کہ پیداوار کسی خاص موٹائی سے زیادہ نہیں ہونی چاہیے، کوئی عالمی معیار کی بنیاد نہیں ہے۔

حد

3. دو پرتیں کیسے کام کرتی ہیں؟ آٹو ڈوپنگ کنٹرول اور گیٹرنگ مختلف ہیں۔ میکانزم

3.1 آٹو ڈوپنگ کو مسدود کرنا: بنیادی طور پر بیک سائیڈ فرار کے راستے کو کنٹرول کرنا، ہر ایک نہیں راستہ

ایپیٹیکسی کے تھرمل مراحل کے دوران، بھاری ڈوپڈ سبسٹریٹ میں ڈوپینٹس یا ایک ویفر جس میں بہت زیادہ ڈوپڈ دفن تہہ ہوتا ہے سبسٹریٹ سے باہر پھیل سکتا ہے یا گیس کے مرحلے میں فرار ہوسکتا ہے اور پھر بڑھتی ہوئی ایپیٹیکسیل تہہ میں داخل ہوسکتا ہے۔ یہ غیر ارادی ڈوپنگ پیدا کرتا ہے، یہی وجہ ہے کہ آٹو ڈوپنگ کو کنٹرول کرنا ضروری ہے۔ یہ اپیٹیکسیل پرت کی مزاحمت کو تبدیل کر سکتا ہے اور ویفر کے اندر اور قریب کے کنارے کی یکسانیت کو کم کر سکتا ہے۔

بیک سائیڈ SiO₂ کی قدر اس راستے کو کم کرنے میں مضمر ہے جس کے ذریعے ڈوپینٹس پچھلے حصے سے گیس کے مرحلے میں داخل ہوتے ہیں اور اس کے بعد سامنے کی سطح یا ویفر کنارے پر واپس آجاتے ہیں۔ BYU کی تصریح اس کی براہ راست وضاحت کرتی ہے: ایک آکسائیڈ بیک سیل کا استعمال بوران کو اعلی درجہ حرارت کے اپیٹیکسیل جمع ہونے اور سامنے کی سطح کو آلودہ کرنے کے دوران فرار ہونے سے روکنے کے لیے کیا جاتا ہے۔ Okmetic واضح طور پر LTO بیک سیلنگ کو آٹوڈوپنگ کی روک تھام کے ایک ذریعہ کے طور پر بھی شناخت کرتا ہے۔

ایک حد واضح رہے:بیک سائیڈ سیل تمام آٹوڈوپنگ کو ختم نہیں کر سکتی۔ڈوپینٹس فرنٹ سائیڈ سالڈ سٹیٹ آؤٹ ڈفیوژن، دفن شدہ پرت کی دوبارہ تقسیم، اور ری ایکٹر کے اندر گیس فیز ٹرانسپورٹ کے ذریعے ایپیٹیکسیل پرت میں بھی داخل ہو سکتے ہیں۔ بیک سائیڈ سیلنگ کو epitaxial pretreatment، درجہ حرارت کی پروفائل، اور ری ایکٹر کے حالات کے ساتھ مل کر بہتر بنایا جانا چاہیے۔ اکیلے آنے والی فلم کی موٹائی کی رپورٹ کافی نہیں ہے۔

3.2 Poly-Si Extrinsic Gettering and Oxygen-Precipitate Internal Gettering: تکمیلی، نہیں قابل تبادلہ

حاصل کرنے کا مقصد فعال ڈیوائس کے علاقے سے دور دراز مقامات پر دھاتی نجاست کو پکڑنا ہے۔ دو عام نقطہ نظر ہیں:

نقطہ نظر	مقام اور طریقہ کار پر قبضہ کریں۔	انجینئرنگ کے تحفظات
بیک سائیڈ ایکسٹرنسک گیٹرنگ (PBS/EG)	اناج کی حدود، بے ترتیب ڈھانچے، اور پچھلی طرف پولی سی میں دیگر سائٹیں گرفتاری کے مقامات فراہم کرتی ہیں	تاثیر کا انحصار پولی-سی کے جمع ہونے کے حالات، بعد میں گرمی کے علاج، اور آلودہ انواع پر ہوتا ہے۔
ویفر بلک میں اندرونی گیٹرنگ (IG)	سلیکون بلک کیپچر نجاست میں آکسیجن تیز اور اس سے وابستہ نقائص	ابتدائی آکسیجن ارتکاز، بی ایم ڈی اور ڈینیوڈ زون ڈیزائن، اور مکمل تھرمل ہسٹری پر منحصر ہے

اوگوشی وغیرہ۔ (1997، Sumitomo Sitix) نے DLTS کا استعمال کرتے ہوئے PBS اور IG کے رویے کو آہنی آلودگی کے تحت منظم طریقے سے تفتیش کیا۔پی بی ایس حاصل کرنے کی کارکردگی پولی سیلیکون جمع کرنے والے درجہ حرارت اور اس کے بعد حاصل کرنے والے اینیل درجہ حرارت دونوں پر مضبوطی سے انحصار کرتی ہے ، جبکہ آئی جی کی کارکردگی کا انحصار آکسیجن کی مقدار کے سائز اور کثافت پر ہوتا ہے۔یہ تجرباتی نتائج ظاہر کرتے ہیں کہ دونوں نقطہ نظر مختلف پیرامیٹرز کے زیر انتظام ہیں اور انہیں الگ الگ ڈیزائن اور ایک ساتھ بہتر بنایا جانا چاہیے۔ اس لیے ایک سورسنگ انکوائری یہ پوچھنے سے آگے بڑھنی چاہیے کہ آیا "گیٹرنگ پرت" موجود ہے؛ اسے واضح کرنا چاہیے کہ آیا مقصد بیک سائیڈ ایکسٹرنسک گیٹرنگ، بلک انٹرنل گیٹرنگ، یا دونوں کا مجموعہ ہے۔

3.3 LTO کیپنگ اور ذرات: مکمل کوریج مدد کرتا ہے، لیکن ایج انجینئرنگ یکساں ہے اہم

بیرونی LTO پرت Poly-Si کو بیرونی ماحول سے الگ کرتی ہے اور ڈوپینٹ پھیلاؤ رکاوٹ کے طور پر کام کرتی ہے۔ تاہم، تکنیکی طور پر یہ سمجھنا درست نہیں ہے کہ آکسائیڈ کیپ خود بخود ذرہ کی کم سطح کی ضمانت دیتی ہے۔ ویفر کنارے پر باقی فلمیں ایپیٹیکسی یا اس کے بعد کی پروسیسنگ کے دوران الگ ہو سکتی ہیں، جبکہ Poly-Si کے سامنے آنے سے رابطے اور ہینڈلنگ کے دوران ذرات کے خطرات بھی پیدا ہو سکتے ہیں۔ اس لیے کنارے کو ہٹانا، کنارے پالش کرنا اور صفائی کی ضرورت ہے۔ Okmetic ملٹی لیئر آپشنز پیش کرتا ہے جیسے Poly-LTO-Poly سپر سیلنگ خاص طور پر نوڈولس اور کنارے سے متعلق ایپیٹیکسیل نقائص کو کم کرنے کے لیے، یہ ظاہر کرتا ہے کہ کنارے اور فلم کے نظام کو ایک ساتھ ڈیزائن کیا جانا چاہیے۔

دوسرے الفاظ میں، ذرہ کی کارکردگی پر منحصر ہےفلم کی کثافت + کوریج کی سالمیت + کنارے پروفائل + بعد میں تھرمل پروسیسنگ، اور اسے صرف بیرونی مواد کے نام سے منسوب نہیں کیا جا سکتا۔

4. کیوں ایک 800 nm کی فلم کو اب بھی قریبی تناؤ کنٹرول کی ضرورت ہے؟ زیادہ موٹائی ایک لکیری کارکردگی کا فائدہ پیدا نہیں کرتی ہے۔

ایک موٹی پولی-سی فلم اضافی اناج کی حدود اور حاصل کرنے والے ڈھانچے کے ذریعے متناسب طور پر زیادہ فوائد فراہم نہیں کرتی ہے۔ موٹائی میں اضافے کے ساتھ اندرونی پتلی فلم کا تناؤ جمع ہو جاتا ہے، جس سے ویفر-وار پیج کنٹرول زیادہ مشکل ہو جاتا ہے۔ فلم کی موٹائی، جمع کرنے کا درجہ حرارت، اور بعد میں تھرمل ہسٹری بھی مشترکہ طور پر ویفر جیومیٹرک استحکام کو متاثر کرتی ہے۔ یہی وجہ ہے کہ Okmetic بیک سائیڈ سیل اسٹیکس کے ساتھ ساتھ فہرست کرتا ہے۔ویفر وارپ/بو آپٹیمائزیشنمرضی کے مطابق اختیارات کے طور پر.

عمل کے انضمام کے لیے، نتائج کی کم از کم تین اقسام کا ایک ساتھ جائزہ لیا جانا چاہیے:

آنے والی جیومیٹری:فلم جمع کرنے کے بعد کمان/وارپ، کوٹنگ سے پہلے صرف ننگے ویفر ڈیٹا کی بجائے؛
تھرمل پروسیسنگ کے بعد جیومیٹری:نقلی ایپیٹیکسیل تھرمل ہسٹری کے بعد وار پیج اور استحکام، ایسی صورتحال سے گریز کرتے ہوئے جس میں آنے والے ویفرز گزر جائیں لیکن پوسٹ ایپیٹیکسی ویفرز قابو سے باہر ہو جائیں۔
کنارے اور اپیٹیکسیل نقائص:کنارے ہٹانے کی چوڑائی، بقایا کنارے کی فلمیں، نوڈولس، ذرات، ایپیٹیکسیل ہیز، اور متعلقہ نقائص۔

بیک سائیڈ مہر "جتنا موٹا، بہتر" نہیں ہے۔ یہ رکاوٹ کی کارکردگی، حاصل کرنے، کشیدگی، اور کنارے کے رویے کے درمیان تجارت ہے.

5.200 ملی میٹر BCD اور پاور ڈیوائس استعمال کرنے والوں کو ایک ڈھانچہ کیسے منتخب کرنا چاہیے؟ BS اصطلاحات پر بحث کرنے سے پہلے تصدیقی مقاصد کی وضاحت کریں۔

بیک سائیڈ سیلنگ خاص طور پر ان عملوں میں جانچنے کے قابل ہے جو ہلکے ڈوپڈ ایپیٹیکسیل پرت کے ساتھ بھاری ڈوپڈ سبسٹریٹ کو جوڑتے ہیں، ایک انتہائی ڈوپڈ دفن شدہ تہہ شامل کرتے ہیں، یا ایپیٹیکسیل ریزسٹویٹی یکسانیت کے لیے حساس ہوتے ہیں۔ درخواست کے مباحث میں اکثر پاور ڈیوائسز اور BCD پلیٹ فارم شامل ہوتے ہیں۔ عوامی سپلائر کے اختیارات بھی دستیاب ہیں: 200 ملی میٹر اور 150 ملی میٹر مصنوعات کے لیے Okmetic کا پاور ڈیوائس ویفر صفحہ واضح طور پر Etched، Polyback، اور LTO بیک سائیڈ علاج کی فہرست دیتا ہے۔

اس کا مطلب یہ ہے کہ "ہر BCD عمل کو 800/400 کی ضرورت ہوتی ہے۔" پولی-سی + ایل ٹی او کی ضرورت ہے یا نہیں اس کا تعین مشترکہ طور پر سبسٹریٹ ڈوپینٹ کی قسم اور ارتکاز، دفن شدہ تہوں، ایپیٹیکسیل موٹائی اور مزاحمتی صلاحیت، تھرمل بجٹ، اور ایج ڈیفیکٹ بجٹ سے کیا جانا چاہیے۔

حصولی اور عمل کے انضمام کے لیے، درج ذیل اشیاء کو ڈرائنگ اور تصدیقی منصوبوں میں شامل کیا جانا چاہیے:

فلم سسٹم:مواد، اسٹیک کی ترتیب، ہر پرت کی ہدف کی موٹائی، اور رواداری۔ تصریح کے طور پر صرف "BS" یا "Superseal" کو قبول نہ کریں۔
کنارے کی حالت:کنارے کو ہٹانے کا طریقہ، کنارے کا اخراج، نشان اور بیول پر کوریج، اور قابل اجازت بقایا کنارے والی فلمیں؛
جیومیٹری:epitaxy یا مساوی تھرمل ہسٹری کے بعد دہرائی جانے والی پیمائش کے معاہدے کے ساتھ، پیمائش کی متعین حالت کے تحت بو/وارپ؛
بجلی کی تصدیق:epitaxy کے بعد ریڈیل ریزسٹویٹی پروفائلز، جیسے SRP پیمائش، خاص توجہ کے ساتھ قریبی کنارے والے علاقوں اور صرف ویفر سینٹر کے بجائے اچانک منتقلی؛
آلودگی اور خرابی کی تصدیق:پیچھے اور کنارے کے ذرات، ایپیٹیکسیل نوڈولس، اور کہرا۔ جہاں دھاتی آلودگی پر قابو پانے کی ضرورت ہو، متعلقہ حاصل کرنے والے تشخیصی طریقہ پر متفق ہوں۔

سپلائر کی اصطلاحات کو بھی تشریح کی ضرورت ہے۔ Okmetic "LTO backsealing," "Polyback sealing," اور "Poly-LTO-Poly supersealing" کا استعمال کرتا ہے جبکہ علمی ادب اکثر PBS (Polysilicon Back Seal) کا استعمال کرتا ہے۔نام مختلف ہو سکتے ہیں، لیکن ساخت غیر مبہم ہونا چاہیے۔دوسرے سپلائرز کے ساتھ کام کرتے وقت، بیک سائیڈ سیل کے مخصوص اختیارات کی تصدیق موجودہ پروڈکٹ ڈرائنگ، تصریحات، اور باہمی قابلیت کے نتائج کے خلاف کی جانی چاہیے، بجائے اس کے کہ پروڈکٹ لائن کے نام سے اندازہ لگایا جائے۔

حوالہ جات

Okmetic - Discrete Power Device Wafers (LTO backsealing، Polyback، Poly-LTO-Poly supersealing، اور 200 mm وضاحتیں): https://www.okmetic.com/silicon-wafers/power-wafer-line/discrete- power-device-wafers/
BYU کلین روم - ویفر کی تفصیلات (معمولی 3000‒5000 Å آکسائڈ بیک سیل پر ایپیٹیکسیل ویفرز؛ بیک سائیڈ پولی سیلیکون گیٹرنگ): https://cleanroom.byu.edu/EW_wafer_specs
نیشنل یانگ منگ چیاؤ تنگ یونیورسٹی نینو سینٹر - کم پریشر کیمیائی بخارات جمع کرنے کا نظام (LPCVD) (620 ڈگری پر پولی-سی اور 550 ڈگری پر بے ساختہ سلکان سمیت پروسیس پوائنٹس):
ٹی آئی کمینز، ایل پی سی وی ڈی سیلیکون فلمز کی ساخت اور خواص، جے الیکٹروکیم۔ Soc. 127(3), 686 (1980) (پولی کرسٹل لائن فلمیں 600 ڈگری سے اوپر اور بے ترتیب فلمیں): https://iopscience.iop.org/article/10.1149/1.2129733
S. Ogushi et al.، پولی سیلیکون بیک سیل اور اندرونی گیٹرنگ کے ساتھ سلیکون ویفرز میں بھاری دھات کی نجاست کی خصوصیات حاصل کرنا، Jpn۔ J. Appl طبعیات. 36، 6601 (1997): https://iopscience.iop.org/article/10.1143/JJAP.36.6601

دستبرداری:یہ مضمون عوامی طور پر دستیاب کاغذی خلاصوں، یونیورسٹی کے سازوسامان کی معلومات، اور فراہم کنندہ کے ویب صفحات سے صرف تکنیکی مواصلات اور سورسنگ کے حوالے کے مقاصد کے لیے مرتب کیا گیا ہے۔ موٹائی، درجہ حرارت، اور ڈھانچے جن پر بحث کی گئی ہے وہ عوامی مثالیں یا عام صنعتی عمل کی کھڑکی ہیں۔ وہ کسی بھی سپلائر سے معیاری وضاحتیں یا ضمانتیں نہیں بناتے ہیں۔ پیداواری اہلیت باہمی طور پر منظور شدہ ڈرائنگ، موجودہ تصریحات، پیمائش کی متعین شرائط، اور اصل epitaxial تصدیقی نتائج پر مبنی ہونی چاہیے۔

ہمارے بارے میں

Ningbo Sibranch Microelectronics Technology Co., Ltd. سیمی کنڈکٹر سلکان ویفر کی فراہمی اور تکنیکی خدمات میں مہارت رکھتی ہے۔ ہم پاور ڈیوائسز، MEMS، اینالاگ، اور اسپیشلٹی پروسیس میں صارفین کے لیے 2‒12 انچ سنگل سائیڈ پالش ویفرز، ڈبل سائیڈ پالش ویفرز، ایپیٹیکسیل ویفرز، اور حسب ضرورت تفصیلات فراہم کرتے ہیں۔ ہم پیرامیٹر کی تعریف، آنے والے معائنے، اور درخواست کی اہلیت کے دوران مواصلات پر زور دیتے ہیں۔

ویب سائٹس: www.sibranch.com|www.sibranchwafer.com

200 ملی میٹر ایپیٹیکسیل گریڈ سبسٹریٹس، بیک سائیڈ سیل ڈھانچے، یا دیگر حسب ضرورت سلکان ویفرز کو منتخب کرنے میں مدد کے لیے، براہ کرم ہم سے رابطہ کریں۔