4,6,8 انچ سلکان ویفر انوینٹری اپ ڈیٹ_20240311 SOI

4,6,8inch Silicon Wafer Inventory Update_20240311 SOI

Mar 12, 2024 ایک پیغام چھوڑیں۔

بہت	PRODUCT	قطر	کرسٹل	TYPE	ڈوپنٹ	واقفیت	موٹائی	مزاحمت
G8P131	لہذا میں	200	سی زیڈ	P	B	100	725±15	14~19	ڈیوائس: 55±7.5nm، 8~12 ohm.cm / باکس: 145±10nm، نشان<110>
C19404-3-2	لہذا میں	200	سی زیڈ	N / A	N / A	100	725±15	>750	ڈیوائس: 210~230nm، 8~12 ohm.cm / باکس: 2950~3050nm
G8P238S	لہذا میں	200	سی زیڈ	P	B	100	725±15	14~19	ڈیوائس: 200~240nm، 8~12 ohm.cm / باکس: 1950~2050nm
G8P217	لہذا میں	200	سی زیڈ	N / A	N / A	100	725±15	>750	ڈیوائس: 210~230nm، P<100>، 8~12 ohm.cm / باکس: 1950~2050nm
G8P500	لہذا میں	200	سی زیڈ	P	B	100	725±15	8~12	ڈیوائس: 500±50nm / باکس: 2950~3050nm، نوچ اورینٹیشن<110>
G8P600	لہذا میں	200	سی زیڈ	P	B	100	725±15	8~12	ڈیوائس: 600±60nm / باکس: 2950~3050nm، نوچ اورینٹیشن<110>
G8P340	لہذا میں	200	سی زیڈ	P	B	100	725±15	8~12	ڈیوائس: 340±25nm / باکس: 2900~3100nm، نوچ اورینٹیشن<110>
G8P288	لہذا میں	200	سی زیڈ	P	B	100	725±15	>1000	ڈیوائس: 145±12.5nm، 8~12 ohm.cm / باکس: 400±25nm، نشان<110>
G8M107	لہذا میں	200	سی زیڈ	N	پی ایچ ڈی	100	725±15	0.3~1.2	ڈیوائس: 1500±80nm، P/B<100>، 14~22 اوہم-سینٹی میٹر / باکس: 950~1050nm، نشان<100>
230300058	لہذا میں	150	سی زیڈ	P	B	100	450±5	1~10	ڈیوائس: 15μm±0.5μm P 0۔{5}}1~0.02 / باکس: 5μm±5%,DSP
1511032	لہذا میں	100	سی زیڈ	N		100	475±25	N / A	ڈیوائس: 2{{1}μm±0.5 N 0.001~0.02 / باکس: 15μm±3%
G8N70	لہذا میں	200	سی زیڈ	N	پی ایچ ڈی	100	725±10	1~10	ڈیوائس: 70μm±5% / باکس: 1000nm±5%
G8K00318	لہذا میں	200	سی زیڈ	P	B	100	625±10	>1000	ڈیوائس: 1.5±0.5μm،<0.02 ohm.cm / Box : 2μm±5%
A0210	لہذا میں	200	سی زیڈ	P	B	100	725±15	8.5~11.5	ڈیوائس: 1250±100nm/باکس: 400±40nm
112301	لہذا میں	100	سی زیڈ	N	ایس بی	100	300	0.005~0.025	ڈیوائس: 30μm / باکس: 0.5μm
G6P163S	لہذا میں	150	سی زیڈ	P	B	100	675±15	10~20	ڈیوائس: 200~240nm، 10~20 ohm.cm/ باکس: 2850~3150nm